我國感應(yīng)加熱用中高頻電源從無到有，經(jīng)過了上述的四個發(fā)展階段已在國內(nèi)形成很大的規(guī)模，并已用于冶金、電力、石油、化工、電子等行業(yè)的焊接、淬火、熔煉、透熱、保溫等領(lǐng)域，其發(fā)展現(xiàn)狀可以概括為以下幾點：
(1) 以晶閘管為主功率器件的感應(yīng)加熱中頻電源已覆蓋了工作頻率為8kHz以下的所有領(lǐng)域，其單機功率容量分50、160、250、500、1000、2000、2500、3000kW幾種，工作頻率有400Hz、1kHz、2.5kHz、4kHz、8kHz幾種。
(2) 中頻電源中三相全控整流橋的觸發(fā)器已告別了分立器件構(gòu)成的多塊板結(jié)構(gòu)，現(xiàn)多為集脈沖形成、保護、功率放大、脈沖整形于一體的單一大板結(jié)構(gòu)(內(nèi)含逆變橋的脈沖產(chǎn)生與功放和調(diào)節(jié)器)。
(3) 中頻電源中三相整流橋的晶閘管觸發(fā)脈沖產(chǎn)生已從應(yīng)用同步變壓器，現(xiàn)場調(diào)試需對相序的控制模式逐步向不用同步變壓器的具有相位自適應(yīng)功能的觸發(fā)器過渡。
(4) 晶閘管中頻電源的啟動方式已從撞擊式起動、零壓起動、內(nèi)外橋轉(zhuǎn)換起動過渡到掃頻起動，其控制技術(shù)已從電壓或電流閉環(huán)調(diào)節(jié)進步到恒功率控制，從而使中頻電源的控制效果更好，提高了用戶使用的效率。
(5) 中頻電源用快速晶閘管的單管容量已達2500A/2500V，其最短關(guān)斷時間已達15μs，與中頻電源配套的無感電阻高頻電容等制造技術(shù)得到了長足的進步，為晶閘管中頻電源的制作帶來了極大的方便。
(6) 晶閘管中頻電源的零部件及配套件如散熱器、熔斷器、電抗器、控制板已標(biāo)準(zhǔn)化、系列化、批量生產(chǎn)化、給晶閘管中頻電源的制造商及維護人員帶來了極大的方便。
(7) MOSFET和IGBT等全控型電力半導(dǎo)體器件的容量已日益擴大，既奠定了中高頻電源的器件基礎(chǔ)，與IGBT及MOSFET配套的驅(qū)動器和保護電路已系列化和標(biāo)準(zhǔn)化，給中高頻和超音頻感應(yīng)加熱電源奠定了基礎(chǔ)和保證，帶來了極大的方便。
(8) 在國內(nèi)單機容量在500kW以上的感應(yīng)加熱中頻電源基本上是清一色的晶閘管電源，但工作頻率最高不超過8kHz，容量最大已達4000kW，國內(nèi)有些企業(yè)正在開發(fā)單機容量達6000kW的晶閘管中頻電源，以IGBT和MOSFET為主功率器件的中高頻電源，在國內(nèi)已有批量生產(chǎn)的企業(yè)，但生產(chǎn)量相對晶閘管中頻電源來說還是很少，其單機容量在200kW以內(nèi)，工作頻率基本上都在20kHz~200kHz范圍，超過20kHz的中高頻電源基本上都是應(yīng)用MOSFET，由于MOSFET到今仍然難以制作出同時滿足高電壓、大電流的條件，所以不得不采用多個MOSFET并聯(lián)的方案，從目前使用的實際情況來看，有直接將MOSFET并聯(lián)，再逆變獲得較大功率輸出;也有直接將MOSFET構(gòu)成逆變橋，再多個逆變橋并聯(lián)的;應(yīng)特別注意兩種實現(xiàn)方法都有均流的問題，后者不但有數(shù)個逆變器并聯(lián)均流的問題，而且有數(shù)個逆變橋輸出同相位、同幅值并聯(lián)的問題，同時這種方案造成控制系統(tǒng)有多個控制單元。
(9) 現(xiàn)中高頻感應(yīng)加熱中頻電源的冷卻方式清一色為水冷卻，應(yīng)用水壓繼電器的居多，存在著水管堵死，水壓很高，但不能冷卻的問題，這很容易造成器件的過熱損壞，所以保護方案總的來說存在著不足，應(yīng)增加流量繼電器的保護與水壓繼電器配合使用。